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新傲在SOI材料研究方面居國(guó)內(nèi)領(lǐng)先位置，并保持國(guó)際先進(jìn)水平。

1) 2002年，新傲公司建立了國(guó)內(nèi)第一條SIMOX SOI生產(chǎn)線，并開(kāi)發(fā)相關(guān)的成套工藝，研制出系列的全劑量、中等劑量和低劑量SIMOX產(chǎn)品。

2) 2005年，新傲開(kāi)發(fā)出鍵合SOI材料生產(chǎn)技術(shù)；同年，在結(jié)合SIMOX和鍵合技術(shù)的基礎(chǔ)上，新傲開(kāi)發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Simbond®技術(shù)(ZL 200510028365.6)。

3) 2008年，新傲開(kāi)發(fā)出另一項(xiàng)同樣具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的BEST-SOI技術(shù)(ZL 200810201039.4)。

4) 2010年，新傲北區(qū)建成投產(chǎn)，批量生產(chǎn)8英寸SOI/EPI產(chǎn)品。

5) 2014年，瞄準(zhǔn)RF、汽車(chē)電子市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，新傲與法國(guó)Soitec公司開(kāi)展技術(shù)合作，引進(jìn)注氫剝離技術(shù)，并于2015年實(shí)現(xiàn)SOI產(chǎn)品的量產(chǎn)。

6) 瞄準(zhǔn)SOI器件及下一代微納電子材料的應(yīng)用，積極推進(jìn)包括：高遷移率襯底材料、高k柵極介質(zhì)材料、特種 SOI材料、SOI高壓器件以及硅基光互聯(lián)等方面的研究工作。

新傲公司SOI主要專注下述領(lǐng)域：

SIMOX

Bonding

Simbond

Best SOI

Direct Si-Si Bonding

與此同時(shí)，新傲公司也致力于外延技術(shù)的發(fā)展：

• 在紅外加熱筒式外延設(shè)備上開(kāi)發(fā)重?fù)?/span>As襯底上的外延工藝，抑制As的自摻雜效應(yīng)，生長(zhǎng)高阻、過(guò)渡區(qū)窄的外延層
• 在紅外加熱筒式外延設(shè)備上實(shí)現(xiàn)厚度和電阻率均勻性好的1um左右的BiCMOS用外延片
• 雙埋層、As埋層電路襯底上高阻外延工藝開(kāi)發(fā)
• 全梯度和半梯度外延工藝開(kāi)發(fā)并應(yīng)用到全系列FRD產(chǎn)品