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外延工藝	外延技術(shù) \| 外延工藝 \| 外延產(chǎn)品 \| 外延設(shè)備

新傲主要采用硅氣相外延，利用硅的氣態(tài)化合物，主要為SiHCL3, SiH2CL2. 這兩種硅化合物在加熱的硅襯底表面與氫反應(yīng)或自身發(fā)生分解，還原成硅，并以單晶的形式沉淀在硅襯底表面。
外延工藝是一種薄層生長(zhǎng)技術(shù)。能批量生產(chǎn)參雜均勻，厚度一致，晶格結(jié)構(gòu)完整的外延片。利用同質(zhì)外延技術(shù)制備N/N+ 或P/P+ 結(jié)構(gòu)外延片可解決晶體管制作中頻率特性和擊穿功率特性間的矛盾。利用N/P型結(jié)構(gòu)的外延片可以實(shí)現(xiàn)雙極型集成電路的元器件之間的隔離，可靠性，成品率大大提高，成本大大降低。

工藝流程

Quality of Reactors

不同襯底材料下的外延

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新傲科技采用SIMOX，BONDING，SIMBOND和SSS四種工藝，利用先進(jìn)設(shè)備來(lái)制備SOI材料，以確保圓片能夠達(dá)到國(guó)際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)，并能夠滿足當(dāng)今世界主流IC生產(chǎn)線的要求。依靠強(qiáng)大而持續(xù)的技術(shù)支持，整合國(guó)產(chǎn)化襯底片良好的性價(jià)比以及強(qiáng)大而靈活的加工能力優(yōu)勢(shì)，向客戶提供專業(yè)化的外延服務(wù)。